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OP200
壓電物鏡掃描Z軸
光切片 3D 成像
用于延時成像的自動對焦系統(tǒng)
高內涵篩選
表面分析
晶圓檢測
掃描干涉測量
多光子顯微鏡
產品描述
產品參數(shù)
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產品描述
NanoScan OP200 壓電驅動物鏡掃描 Z 軸與大多數(shù)商用和定制顯微鏡兼容，標配了 M32 物鏡螺紋，并提供多種適配器。
其高剛度（1.3 N/μm）在高達 200 μm 的范圍內提供一流的步進整定性能。它采用了電容式定位傳感器，具備高重復性和高分辨率。針對正置光路或者倒置光路，當物鏡位于壓電 Z 軸的下方或者上方時，我們會對負載情況做出優(yōu)化設置。面對工作場地不同的影響因素或者應用要求，在軟件中可以做進一步的優(yōu)化，以滿足您的實驗要求。
還可根據(jù)要求提供用于 OEM 應用的定制安裝方式和物鏡支架。 負載標準為 0 — 500 g，可根據(jù)要求提供高負載、自定義負載調整。
其高剛度（1.3 N/μm）在高達 200 μm 的范圍內提供一流的步進整定性能。它采用了電容式定位傳感器，具備高重復性和高分辨率。針對正置光路或者倒置光路，當物鏡位于壓電 Z 軸的下方或者上方時，我們會對負載情況做出優(yōu)化設置。面對工作場地不同的影響因素或者應用要求，在軟件中可以做進一步的優(yōu)化，以滿足您的實驗要求。
還可根據(jù)要求提供用于 OEM 應用的定制安裝方式和物鏡支架。 負載標準為 0 — 500 g，可根據(jù)要求提供高負載、自定義負載調整。
產品特點
機械設計：不銹鋼材質構建，剛度高，能快速響應；溫度穩(wěn)定性好，漂移低。無摩擦鉸鏈結構，提升剛度，減少離軸運動，確保高重復性與快速響應時間。
傳感器：電容式定位傳感器，實現(xiàn)亞納米級定位，具備高分辨率、高穩(wěn)定性和高重復性。
通用性：適用正置和倒置顯微鏡光路，物鏡壓電掃描器的插頭內置 EEPROM 芯片用于儲存校準數(shù)據(jù)，實現(xiàn)即插即用，控制器可替換使用，減少系統(tǒng)停機時間。用戶能根據(jù)物鏡尺寸、重量和應用要求，通過配套軟件配置參數(shù)。
NanoScan 控制器
低噪聲設計：皮米級別的位置噪聲，保障系統(tǒng)穩(wěn)定，適用于精準成像與聚焦。
信號處理：數(shù)字信號處理的分辨率為 24 bit，控制器刷新率為 50 kHZ。
傳感器：內置電容傳感器，實現(xiàn)精密閉環(huán)控制。
軟啟停技術：保護負載，延長壓電陶瓷壽命。
驅動性能：支持 20 bit分辨率的動態(tài)高功率輸出。
通訊方式：USB 接口、模擬輸入輸出（BNC 接口，0 — 10 V）、數(shù)字接口（25 針 D 型插座、9 針 D 型插座）。
控制算法
借助雙陷波濾波器，可減少一階與二階諧振頻率對動態(tài)位置的影響；通過二次線性化算法優(yōu)化運動線性度，確保位置精度。壓電平臺在高帶寬（3 dB 帶寬）下運行，其伺服頻率超過一階諧振頻率的 40 %。此外，加減速算法通過調控加速度優(yōu)化運動速度，降低過沖，從而實現(xiàn)快速穩(wěn)定的定位效果。
控制對比
開環(huán)控制：無反饋調節(jié)，20 ms 后仍未穩(wěn)定，位置誤差大，僅適用于低精度場景。
快速 PID 控制：通過快速 PID 閉環(huán)控制，穩(wěn)定時間 ＞8 ms，過沖明顯，難以滿足高速高精度需求。
慢速PID 控制：通過反饋閉環(huán)提升穩(wěn)定性，穩(wěn)定時間 7?ms，無過沖。
Queensgate 算法：實現(xiàn) 5 ms 快速整定、微量過沖。
在實際測試中，單軸壓電平臺的位置噪聲為 50.1 pm RMS，這一噪聲水平小于氫原子半徑，適用于對精度和穩(wěn)定性要求高的場景，如尖端科學研究、精密測量或高端制造等領域。
單軸壓電平臺完成 500 nm 階躍的整定時間小于 1 ms，反映其在動態(tài)控制場景中的快速響應能力和穩(wěn)定性。
傳統(tǒng)壓電控制器：多數(shù)采用位置控制算法（灰色曲線），在高速運動場景中，無法維持準確的速度控制，導致速度波動或跟蹤誤差，影響動態(tài)性能（如高速掃描的精度和效率）。
NanoScan 控制器：采用速度控制算法（紅色曲線），其刷新率為 50 kHz，能有效地跟蹤變化指令，可對預設的函數(shù)指令重復執(zhí)行和再現(xiàn)，實現(xiàn)納米級定位精度的高速掃描。即使在無需高精度的場景，也能縮短整定時間，提升工作效率。
應用領域
3D 圖像重建：通過快速 Z 軸掃描獲取多層 2D 圖像，合成高分辨率 3D 結構（如細胞、組織切片）。
自動對焦系統(tǒng)（延時成像）：在活細胞或動態(tài)樣本的長時間成像中，實時補償樣本漂移或焦距變化。
高通量篩選：高通量分析細胞形態(tài)、蛋白表達等參數(shù)，篩選藥物或基因功能。
多光子顯微鏡：深層組織（如腦片、腫瘤模型）的三維熒光成像，需精準控制物鏡焦平面。
表面分析：納米級表面形貌測量（如粗糙度、缺陷檢測），材料表面的物理 / 化學特性表征。
半導體晶圓檢測：半導體晶圓表面缺陷（如顆粒、劃痕）的高速檢測，確保芯片制造良率。
掃描干涉測量：通過干涉儀測量微小位移、厚度或表面輪廓（如 MEMS 器件、光學元件）。
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產品參數(shù)
| 參數(shù)/型號 | 行程 μm | 重復精度 nm | 分辨率 nm | 線性度 % | 負載 g | 整定時間 ms |
| OP200 | 200 閉環(huán) |
1 |
0.4 |
0.01 |
500 |
6 / 9 / 12 * |
*5%整定0.5μm步驟150g/250g/500g負載。
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控制器
電話：021-52996090郵箱：[email protected]傳真：021-52996090
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